« Fonctionnement d'un ordinateur/Les mémoires DRAM synchrones » : différence entre les versions

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Ces timings influencent grandement la vitesse à laquelle on accède à une donnée dans la mémoire. Eh oui, car suivant la disposition des données dans la mémoire, l'accès peut être plus ou moins rapide. Avant d'aller plus loin, nous devons rappeler que les mémoires DRAM sont généralement des mémoires à tampon de ligne. C'est à dire que lors d'un accès mémoire, une ligne complète est chargée dans un registre, avant qu'un multiplexeur accède à la colonne voulue. Le registre s'appelle le tampon de ligne (''row buffer'', en anglais).
 
[[File:Mémoire à rowtampon buffer.de 02ligne.png|centre|vignette|upright=2|Mémoire à tampon de ligne.]]
 
Le point important est que quand une ligne est chargée dans le tampon de ligne, elle reste dans ce tampon durant plusieurs accès consécutif, avant qu'une nouvelle commande PRECHARGE réinitialise le tampon de ligne. Et les accès ultérieurs peuvent utiliser cette possibilité. Nous allons supposer qu'une ligne a été copiée dans le tampon de registre, lors d'un accès précédent. Deux cas sont alors possibles.