« Fonctionnement d'un ordinateur/Les mémoires DRAM synchrones » : différence entre les versions

Contenu supprimé Contenu ajouté
mAucun résumé des modifications
Ligne 34 :
| 0 || 1 || 0 || 0 || Adresse de la banque || 1 || Adresse de la colonne || WRITEA : écrire une donnée depuis la ligne active, avec rafraichissement automatique de la ligne.
|-
| 0 || 0 || 1 || 1 || Adresse de la banque || colspan="2" | Adresse de la ligne || ACT : charge une ligne dans le ''rowtampon buffer''de ligne.
|-
| 0 || 0 || 1 || 0 || Adresse de la banque || 0 || X || PRECHARGE : précharge le ''rowtampon buffer''de ligne dans la banque voulue.
|-
| 0 || 0 || 1 || 0 || Adresse de la X || 1 || X || PRECHARGE ALL : précharge le ''rowtampon buffer''de ligne dans toutes les banques.
|-
| 0 || 0 || 0 || 1 || colspan="3" | X || Auto refresh : Demande de rafraichissement, gérée par la SDRAM.
Ligne 63 :
||tCAS||Temps mis pour sélectionner une colonne.
|-
||tRP||Temps mis pour réinitialiser le rowtampon bufferde ligne et décharger la ligne.
|-
||tRCD||Temps entre la fin de la sélection d'une ligne, et le moment où l'on peut commencer à sélectionner la colonne.
Ligne 73 :
 
Ces timings influencent grandement la vitesse à laquelle on accède à une donnée dans la mémoire. Eh oui, car suivant la disposition des données dans la mémoire, l'accès peut être plus ou moins rapide. Il existe ainsi quelques possibilités plus ou moins différentes, qu'on va vous citer.
* Premier cas : la donnée que l'on cherche à lire est présente sur la même ligne que la donnée qui a été accédée avant elle. Cela se produit souvent lorsque l'on doit accéder à des données proches les unes des autres en mémoire. Dans ce cas, la ligne entière a été recopiée dans le Rowtampon Bufferde ligne et on n'a pas à la sélectionner : on doit juste changer de colonne. Ce genre de situation s'appelle un ''Row Buffer Hit'', ou encore '''succès de tampon de ligne'''. Le temps nécessaire pour accéder à notre donnée est donc égal au temps nécessaire pour sélectionner une colonne (le tCAS auquel il faut ajouter le temps nécessaire entre deux sélections de deux colonnes différentes (le t-CAS-To-CAS).
* Second cas : on accède à une donnée située dans une ligne différente : c'est un ''Row Buffer Miss'', aussi appelé '''défaut de tampon de ligne'''. Et là, c'est une catastrophe ! Dans ce genre de cas, il faut en effet vider le Rowtampon Bufferde ligne, qui contient la ligne précédente, en plus de sélectionner la ligne et la colonne. On doit donc ajouter le tRP au tRAS et au tCAS pour avoir le temps d'accès total à notre donnée.
 
Les délais/timings mémoire ne sont pas les mêmes suivant la barrette de mémoire que vous achetez. Certaines mémoires sont ainsi conçues pour avoir des timings assez bas et sont donc plus rapides, et surtout : beaucoup plus chères que les autres. Le gain en performances dépend beaucoup du processeur utilisé et est assez minime comparé au prix de ces barrettes. Les circuits de notre ordinateur chargés de communiquer avec la mémoire (ceux placés soit sur la carte mère, soit dans le processeur), doivent connaitre ces timings et ne pas se tromper : sans ça, l’ordinateur ne fonctionne pas.
Ligne 157 :
| 0 || style="background: #CCFFCC" | 0 || 1 || 0 || 0 || Adresse de la banque || 1 || Adresse de la colonne || WRITEA : écrire une donnée depuis la ligne active, avec rafraichissement automatique de la ligne.
|- style="background: #CCFFCC"
| 0 || style="background: #CCFFCC" | 1 || colspan="3" | Adresse de la ligne (bits de poids forts) || Adresse de la banque || colspan="2" | Adresse de la ligne (bits de poids faible) || ACT : charge une ligne dans le ''rowtampon buffer''de ligne.
|-
| 0 || style="background: #CCFFCC" | 0 || 0 || 1 || 0 || Adresse de la banque || 0 || X || PRECHARGE : précharge le ''rowtampon buffer''de ligne dans la banque voulue.
|-
| 0 || style="background: #CCFFCC" | 0 || 0 || 1 || 0 || Adresse de la X || 1 || X || PRECHARGE ALL : précharge le ''rowtampon buffer'de ligne' dans toutes les banques.
|-
| 0 || style="background: #CCFFCC" | 0 || 0 || 0 || 1 || colspan="3" | X || Auto refresh : Demande de rafraichissement, gérée par la SDRAM.