« Fonctionnement d'un ordinateur/Les mémoires DRAM synchrones » : différence entre les versions

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Eh oui, https://www.academie-francaise.fr/et-oui-ou-eh-oui
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Ces timings influencent grandement la vitesse à laquelle on accède à une donnée dans la mémoire. EtEh oui, car suivant la disposition des données dans la mémoire, l'accès peut être plus ou moins rapide. Il existe ainsi quelques possibilités plus ou moins différentes, qu'on va vous citer.
* Premier cas : la donnée que l'on cherche à lire est présente sur la même ligne que la donnée qui a été accédée avant elle. Cela se produit souvent lorsque l'on doit accéder à des données proches les unes des autres en mémoire. Dans ce cas, la ligne entière a été recopiée dans le Row Buffer et on n'a pas à la sélectionner : on doit juste changer de colonne. Ce genre de situation s'appelle un Row Buffer Hit. Le temps nécessaire pour accéder à notre donnée est donc égal au temps nécessaire pour sélectionner une colonne (le tCAS auquel il faut ajouter le temps nécessaire entre deux sélections de deux colonnes différentes (le t-CAS-To-CAS).
* Second cas : on accède à une donnée située dans une ligne différente : c'est un Row Buffer Miss. Et là, c'est une catastrophe ! Dans ce genre de cas, il faut en effet vider le Row Buffer, qui contient la ligne précédente, en plus de sélectionner la ligne et la colonne. On doit donc ajouter le tRP au tRAS et au tCAS pour avoir le temps d'accès total à notre donnée.